品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB150UNEYL
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:93pF@10V
连续漏极电流:1.5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ130UNEYL
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
输入电容:93pF@10V
导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:41pF@10V
栅极电荷:0.95nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:41pF@10V
栅极电荷:0.95nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:46pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
连续漏极电流:1.24A
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:20V
功率:430mW
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
功率:370mW€2.2W
漏源电压:20V
栅极电荷:0.31nC@4.5V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
功率:470mW
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
输入电容:67.62pF@25V
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.21A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:41pF@10V
栅极电荷:0.95nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@4.5V
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:3.77A
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
连续漏极电流:1.24A
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:20V
功率:430mW
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:46pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:46pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:46pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@4.5V
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:3.77A
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:46pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ130UNEYL
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
输入电容:93pF@10V
导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
功率:2.7W
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
类型:N-Channel
输入电容:64.3pF@25V
功率:500mW
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: