品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ390UNEYL
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:41pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.3nC@4.5V
连续漏极电流:900mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ390UNEYL
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:41pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.3nC@4.5V
连续漏极电流:900mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH550UNEH
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@770mA,4.5V
栅极电荷:0.4nC@4V
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:770mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:590mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:310mW€1.67W
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
输入电容:30.3pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ200UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:89pF@15V
栅极电荷:2.7nC@4.5V
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:64.3pF@25V
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:0.94A
阈值电压:950mV@250µA
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ390UNEYL
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:41pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
类型:N沟道
栅极电荷:1.3nC@4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB200UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:89pF@15V
栅极电荷:2.7nC@4.5V
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731UFB4-7B
功率:520mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB200UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:89pF@15V
栅极电荷:2.7nC@4.5V
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH550UNEH
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@770mA,4.5V
栅极电荷:0.4nC@4V
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:770mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH550UNEH
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@770mA,4.5V
栅极电荷:0.4nC@4V
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:770mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH400UNEH
导通电阻:460mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.93nC@4.5V
输入电容:4540pF@15V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH400UNEH
导通电阻:460mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.93nC@4.5V
输入电容:4540pF@15V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ550UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:590mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:310mW€1.67W
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
输入电容:30.3pF@15V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH400UNEH
导通电阻:460mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.93nC@4.5V
输入电容:4540pF@15V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH550UNEH
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@770mA,4.5V
栅极电荷:0.4nC@4V
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:770mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ390UN,315
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.78A
类型:N沟道
栅极电荷:0.89nC@4.5V
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
输入电容:43pF@25V
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
功率:400mW
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH400UNEH
导通电阻:460mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.93nC@4.5V
输入电容:4540pF@15V
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730U-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:64.3pF@25V
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
连续漏极电流:0.94A
阈值电压:950mV@250µA
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB200UNEYL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:89pF@15V
栅极电荷:2.7nC@4.5V
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存: