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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
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栅极电荷：153nC@10V
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输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
