品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN31D5L-13
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功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
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功率:350mW
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导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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功率:350mW
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导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
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栅极电荷:1.2nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):DMN31D5L-13
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功率:350mW
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类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
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导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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规格型号(MPN):DMN31D5L-13
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阈值电压:1.6V@250μA
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栅极电荷:1.2nC@10V
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导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
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栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
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栅极电荷:1.2nC@10V
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
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类型:1个N沟道
输入电容:50pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@4V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@4V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@4V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: