品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: