品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:190pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
功率:625mW
漏源电压:20V
输入电容:160pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:370pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
阈值电压:700mV@250µA
输入电容:258pF@15V
功率:625mW
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
功率:625mW
漏源电压:20V
输入电容:160pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
功率:625mW
漏源电压:20V
输入电容:160pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:370pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:370pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: