品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:60mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX6020CAKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N和P沟道
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX6020CAKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N和P沟道
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流:1.066A€ 845mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:1.44A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:150µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PV,115
工作温度:150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:150µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流:1.066A€ 845mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流:1.066A€ 845mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V
连续漏极电流:1.07A€845mA
类型:N和P沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@18V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1077X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:31.1nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@10V
连续漏极电流:1.75A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流:1.066A€ 845mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: