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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3320FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:60mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@100mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:90mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V

    连续漏极电流:1.066A€ 845mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS250FTA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS250FTA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS250FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:90mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:1.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170FTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170FTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:150µA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订35个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订35个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:150µA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V

    连续漏极电流:1.066A€ 845mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V

    连续漏极电流:1.066A€ 845mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V

    连续漏极电流:1.07A€845mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1077X-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1077X-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1077X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:31.1nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@10V

    连续漏极电流:1.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:75mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V€59.76pF@16V

    连续漏极电流:1.066A€ 845mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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