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    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -50℃~+150℃
    行业应用: 工业
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    功率:760mW€2.5W

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:17nC@10V

    工作温度:-50℃~+150℃

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:2.2A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:500pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52W

    漏源电压:150V

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    导通电阻:315mΩ@10V,4A

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD8N25 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD8N25 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD8N25

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:78W

    阈值电压:4.3V@250μA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:306pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3.2pF@25V

    导通电阻:460mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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