品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2243
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~+150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.345nF@15V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2243
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~+150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.345nF@15V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~+150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.345nF@15V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~+150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:270mΩ@10V,1.2A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
功率:760mW€2.5W
导通电阻:270mΩ@10V,1.2A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
工作温度:-50℃~+150℃
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:500pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~+150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:315mΩ@10V,4A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD8N25
工作温度:-50℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4.3V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:306pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.2pF@25V
导通电阻:460mΩ@10V,1.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: