品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":759}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: