销售单位：个

规格型号(MPN)：GT10N10

工作温度：-55℃~+150℃

功率：17W

阈值电压：2V

栅极电荷：4.3nC@10V

输入电容：206pF@50V

连续漏极电流：7A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.4pF@50V

导通电阻：115mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：18N10

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：28nC@10V

输入电容：1.318nF@50V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：37mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT045N10M

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：101.6nC@10V

输入电容：6.124nF@50V

连续漏极电流：139A

类型：1个N沟道

反向传输电容：15pF@50V

导通电阻：4.1mΩ@10V，20A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT105N10T

工作温度：-55℃~+150℃

功率：74W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：54nC@10V

输入电容：1.625nF@50V

连续漏极电流：55A

类型：1个N沟道

反向传输电容：14pF@50V

导通电阻：8.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT080N10D5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：100W

阈值电压：2.2V@250μA

栅极电荷：70nC@10V

输入电容：3.65nF@50V

连续漏极电流：75A

类型：1个N沟道

反向传输电容：22pF@50V

导通电阻：6mΩ@10V，50A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDT86113LZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.2W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：6.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：315pF@50V

连续漏极电流：3.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：100mΩ@10V，3.3A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20P10KE

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：70nC@10V

输入电容：3.354nF@50V

连续漏极电流：20A

类型：1个P沟道

导通电阻：94mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQT5P10TF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：1.05Ω@10V，500mA

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT105N10K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

输入电容：1.574nF@50V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G1002L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.3W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：10nC@10V

输入电容：413pF@50V

连续漏极电流：2A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.419nF@25V

连续漏极电流：2.6A

类型：1个P沟道

导通电阻：210mΩ@2.6A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：G12P10TE

工作温度：-55℃~+150℃

功率：44.6W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：12A

类型：1个P沟道

导通电阻：170mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：266pF@50V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

导通电阻：62mΩ@4.5A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT080N10M

工作温度：-55℃~+150℃

功率：100W

阈值电压：2V

栅极电荷：70nC@10V

输入电容：3.65nF@50V

连续漏极电流：70A

类型：1个N沟道

反向传输电容：22pF@50V

导通电阻：6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD86102LZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€54W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：26nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.54nF@50V

连续漏极电流：8A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：22.5mΩ@10V，8A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.3W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：11.9nC@10V

输入电容：683pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：1个N沟道

导通电阻：32mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT095N10S

工作温度：-55℃~+150℃

功率：8W

阈值电压：2.6V@250μA

栅极电荷：29.4nC@10V

输入电容：2.131nF@50V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：266pF@50V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

导通电阻：62mΩ@4.5A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDT86113LZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.2W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：6.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：315pF@50V

连续漏极电流：3.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：100mΩ@10V，3.3A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP75N10Y-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：205W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.78nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.27nF@50V

连续漏极电流：75A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.6mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP75N10Y-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：205W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.78nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.27nF@50V

连续漏极电流：75A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.6mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQD13N10LTM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€40W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：12nC@5V

输入电容：520pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：1个N沟道

导通电阻：180mΩ@10V，5A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC440N10NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：29W

阈值电压：2.7V

栅极电荷：10.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.3A

类型：MOSFET

导通电阻：44mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQT5P10TF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：1.05Ω@10V，500mA

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：759}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDT86113LZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.2W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：315pF@50V

连续漏极电流：3.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：100mΩ@10V，3.3A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1