销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：2V@170μA

栅极电荷：6.4nC@10V

输入电容：146pF@25V

连续漏极电流：680mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.8Ω@680mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP372N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：1.4V

栅极电荷：9.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.8A

类型：MOSFET

导通电阻：172mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.8W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：8.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：401pF@25V

连续漏极电流：2.3A

类型：N沟道

导通电阻：220mΩ@1.6A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：2V@170μA

栅极电荷：6.4nC@10V

输入电容：146pF@25V

连续漏极电流：680mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.8Ω@680mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：1.8W

连续漏极电流：680mA

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：1.8Ω@680mA，10V

输入电容：146pF@25V

阈值电压：2V@170μA

栅极电荷：6.4nC@10V

类型：1个P沟道

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：1.8W

连续漏极电流：680mA

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：1.8Ω@680mA，10V

输入电容：146pF@25V

阈值电压：2V@170μA

栅极电荷：6.4nC@10V

类型：1个P沟道

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP372N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：1.4V

栅极电荷：9.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.8A

类型：MOSFET

导通电阻：172mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：2V@170μA

栅极电荷：6.4nC@10V

输入电容：146pF@25V

连续漏极电流：680mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.8Ω@680mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：4V@218μA

栅极电荷：9.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：265pF@25V

连续漏极电流：1.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@1.8A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1