采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT045N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.124nF@50V
连续漏极电流：139A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.625nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT095N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：8W
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：29.4nC@10V
输入电容：2.131nF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.97nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：160pF@50V
导通电阻：14mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT125N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.1246nF@50V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.1pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，60A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT125N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.1246nF@50V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.1pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，60A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.72nF@50V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
