采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.9V
栅极电荷：2.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.9Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50μA
栅极电荷：2.8nC@7V
输入电容：68pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
