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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT045N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.124nF@50V
连续漏极电流：139A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G03N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：90pF@25V
导通电阻：140mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
