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    品牌: ST
    包装方式: 卷带(TR)
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    当前匹配商品:30+
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    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N30M5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.24nF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N30M5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.24nF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N30M5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.24nF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N30M5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N30M5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.24nF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB19NC60KDT4 起订1000个装
    ST IGBT STGB19NC60KDT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB19NC60KDT4

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.75V@15V,12A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:0.255mJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:55nC

    导通损耗:0.165mJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF03L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB11NK40ZT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB11NK40ZT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB11NK40ZT4

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@100μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10DN3LH5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN4NF20L 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF20L 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF20L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:900pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB10NC60KDT4 起订1000个装
    ST IGBT STGB10NC60KDT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB10NC60KDT4

    包装方式:卷带(TR)

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.5V@15V,5A

    关断延迟时间:72ns

    反向恢复时间:22ns

    关断损耗:0.085mJ

    开启延迟时间:17ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:19nC

    导通损耗:0.055mJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1.1pF@100V

    导通电阻:420mΩ@10V,4A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10DN3LH5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL9P3LLH6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.615nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1.1pF@100V

    导通电阻:420mΩ@10V,4A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STS10DN3LH5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10DN3LH5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订400个装
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订400个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN1NK60Z

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订15个装
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订15个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN1NK60Z

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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