销售单位:个
规格型号(MPN):ACST410-8BTR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):30A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103MN 6AA4
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):3mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF55-08AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3740pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0109NN6AA4
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACST310-8BTR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):20A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):3A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TS820-600B-TR
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.6V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):70A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL90N65G2V
工作温度:-55℃~175℃
功率:935W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:157nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:24Ω@40A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):T1635H-8G-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):160A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL320N4LF8
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:360A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):T2535-800G-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):50mA
浪涌电流(Itsm):250A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103MA 5AL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):3mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):T1635H-6G-TR
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):160A
工作温度:-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):T2035T-8G-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):45mA
浪涌电流(Itsm):168A
工作温度:-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms)):20A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL15DN4F5
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0107NN 5AA4
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACST435-8BTR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):30A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LAT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60KDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:85µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:55µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: