品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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