销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:70W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@4mA,4A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:499pF@25V
连续漏极电流:1.85A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@900mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9NM60N
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@50V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:70W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@4mA,4A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD46P4LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: