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    42nC@10V 12 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 104nC@10V 33nC@10V 12nC 17nC@5V 10.5nC@10V 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 20nC@4.5V 92nC@10V 19.5nC@10V 31nC@5V 15.3nC@10V 8.6nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 57nC 13nC@10V 13nC@5V 22nC@10V 130nC@10V 31nC@10V 17nC 30nC@10V 40nC@10V 95nC@10V 182nC@10V 72.5nC@10V 6.5nC@5V 19nC 30nC@4.5V 53nC 6.5nC@4.5V 112nC@10V 29.7nC@10V 7.7nC@10V 9nC@10V 10nC@5V 8.7nC@10V 13.5nC@10V 40nC@5V 110nC@4.5V 65nC@10V 23nC 233nC@10V 13.6nC 226nC 6.4nC@10V 34nC@10V 6nC@5V 43.6nC@10V 9nC@5V 23nC@10V 28nC@5V 10nC@4.5V 90nC 103nC@10V 28nC@10V 57nC@10V 63 nC @ 10 V 142nC@10V 5nC@10V 18nC@10V 29.5nC@10V 150nC@10V 5.3nC@10V 91nC@10V 35nC 62nC@10V 98nC@10V 82nC@10V 87nC@10V 12nC@4.5V 84nC@10V 17nC@4.5V 58nC@10V 73nC@10V 55nC 9.5 nC @ 10 V 183nC@10V 42nC@4.5V 8nC@10V 9.5nC@10V 20.5nC@10V 34nC@4.5V 3nC@10V 80nC@10V 5.7nC@10V 11nC@10V 6nC@4.5V 75nC@10V 52nC@5V 25.9nC@10V 15nC@10V 85nC@10V 41nC@10V 53nC@10V 122nC@10V 16.8nC@10V 25nC@10V 28nC 160nC@10V 120nC@10V 66nC@10V 19nC@10V 37nC@4.5V 180nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 24nC 66nC@4.5V 24.5nC@10V 100nC@10V 117nC@10V 14.1nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 18nC@4.5V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 27nC@10V 60.5nC@10V 44nC@10V 32nC@10V 240nC@10V 6.2nC@10V 45nC@4.5V 60nC@10V 10nC@10V 29nC 21nC@10V 14nC@5V 21.5nC@10V 44.3nC@10V 10.3nC@10V 29.3nC@10V 210nC 36nC@10V 80nC 163nC 149nC 46nC@10V 46nC 22.7nC@10V 43nC 81nC 61nC@10V 45.5nC@10V 55nC@10V 93nC@10V 8.8nC@10V 70nC@10V 80.4nC@10V 11.8nC@10V 12.5nC@10V 3.7nC@10V 4.6nC@4.5V 40nC@4.5V 68nC@10V 2.63nC@10V 35nC@10V 45nC@10V 12nC@5V 33nC@4.5V 62.5nC@10V 4.6nC@5V 44.2nC@10V 50nC@10V 7.8nC@10V 27nC@5V 72nC@10V 100nC 16.5nC@10V 900pC@10V 29nC@10V 3.4nC@10V 71nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 22.5nC@10V 48nC@10V 54nC@10V 6.9nC@10V 110nC@10V 63nC 30 nC @ 4.5 V 15.2nC 52.6nC@10V 16.9nC@10V 26nC 114.6nC@10V 7.5nC@10V 33nC 109nC@10V 193nC@10V 25.7nC@10V 218nC@10V 46.8nC@10V 11.5nC@4.5V 17.3nC@10V 13.4nC@10V 172nC@10V 24.6nC@10V 24nC@4.5V 56nC@5V 17.4nC@10V 21.2nC 22nC@4.5V 30.8nC@10V 41.5nC@10V 90nC@5V 19.2nC 0.9nC@10V 7.5nC@5V 64nC@4.5V 65.5nC@10V 33.4nC@10V 157nC@18V 45nC@20V 136nC@5V 73nC@20V 39.5nC@18V 29nC@18V
    反向传输电容
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极脉冲电流(Icm)
    集电极截止电流(Ices)
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    品牌: ST
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:4000+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB80NF55-08AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3740pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTL90N65G2V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:935W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:157nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:24Ω@40A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB60NF06LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD8N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@100V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL320N4LF8 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL320N4LF8 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL320N4LF8

    功率:188W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:360A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL15DN4F5

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LAT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGB10NC60KDT4 起订3个装
    ST IGBT STGB10NC60KDT4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGB10NC60KDT4

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):30A

    关断延迟时间:72ns

    反向恢复时间:22ns

    关断损耗:85µJ

    开启延迟时间:17ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:19nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A

    导通损耗:55µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGD18N40LZT4 起订2500个装
    ST IGBT STGD18N40LZT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGD18N40LZT4

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:13.5µs

    开启延迟时间:650ns

    集电极截止电流(Ices):420V

    栅极电荷:29nC

    集电极电流(Ic):1.7V@4.5V,10A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD15N60DM6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD15N60DM6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD15N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:607pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:338mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGD3HF60HDT4 起订3个装
    ST IGBT STGD3HF60HDT4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGD3HF60HDT4

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):18A

    关断延迟时间:60ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:12µJ

    开启延迟时间:11ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:12nC

    集电极电流(Ic):2.95V@15V,1.5A

    导通损耗:19µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3LN80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:2.63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF6AG 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF6AG 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@9.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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