品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF55-08AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3740pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL90N65G2V
工作温度:-55℃~175℃
功率:935W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:157nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:24Ω@40A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL320N4LF8
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:360A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL15DN4F5
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LAT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60KDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:85µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:55µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD18N40LZT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:13.5µs
开启延迟时间:650ns
集电极截止电流(Ices):420V
栅极电荷:29nC
集电极电流(Ic):1.7V@4.5V,10A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P4LLF6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD3HF60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:12µJ
开启延迟时间:11ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):2.95V@15V,1.5A
导通损耗:19µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@9.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存: