品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N65DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STHU36N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO36N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:44.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO33N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:33.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO36N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:44.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH30N65DM6-7AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO36N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:44.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL15N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:418mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO33N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:33.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO36N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:44.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N65DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N65DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: