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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL120N10F8
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@50V
连续漏极电流：125A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
