采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NK40ZT4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.1pF@100V
导通电阻：420mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.1pF@100V
导通电阻：420mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK60Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK60Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4.7V@250μA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
