品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:2.2nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: