品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N95K5AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.9Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2P3LLH6
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2P3LLH6
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2P3LLH6
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2P3LLH6
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2P3LLH6
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.9Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N95K5AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存: