采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
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功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
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功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
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连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
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功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
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输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
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功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
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输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
