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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1407
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH110N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1407
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH110N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1407
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH110N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：8115pF@50V
包装方式：卷带（TR）
功率：250W
类型：N沟道
栅极电荷：117nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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