销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13NM60N
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS1DNC45
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL18N65M2
工作温度:150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:764pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:70W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@4mA,4A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: