采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：639pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
输入电容：235pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：639pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
