销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
工作温度:150℃
栅极电荷:25.7nC@10V
漏源电压:620V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
功率:90W
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:60W
输入电容:320pF@100V
导通电阻:780mΩ@3A,10V
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阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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