品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB42N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18NM80
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL57N65M5
工作温度:150℃
功率:2.8W€189W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:4.3A€22.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N55M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@8A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: