采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1440}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1440}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1440}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1440}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1440}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
