采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.6A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF20N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@9A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GLCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2220pF@25V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.6A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC40GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD677
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD678
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
