采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65F
功率：40W
阈值电压：3.5V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：148mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
功率：40W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.65nF@100V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
类型：1个N沟道
功率：40W
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：93mΩ@17A，10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
类型：1个N沟道
功率：40W
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：93mΩ@17A，10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：GC20N65FD
连续漏极电流：20A
漏源电压：650V
导通电阻：167mΩ
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：40W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
