品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP141NF55
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":600}
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT30HP65FB
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:146ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:293µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP141NF55
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP141NF55
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3435pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP141NF55
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP141NF55
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3435pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":600}
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT20V60DF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:149ns
反向恢复时间:40ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:116nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,20A
导通损耗:200µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":600}
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWT20V60DF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:149ns
反向恢复时间:40ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:116nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,20A
导通损耗:200µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
规格型号(MPN):STP141NF55
连续漏极电流:80A
输入电容:5300pF@25V
导通电阻:8mΩ@40A,10V
栅极电荷:142nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":313000,"21+":29000,"MI+":3000}
规格型号(MPN):STP141NF55
连续漏极电流:80A
输入电容:5300pF@25V
导通电阻:8mΩ@40A,10V
栅极电荷:142nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
生产批次:{"19+":600}
规格型号(MPN):STGWT30HP65FB
关断损耗:293µJ
反向恢复时间:140ns
类型:沟槽型场截止
ECCN:EAR99
关断延迟时间:146ns
集电极脉冲电流(Icm):120A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1610
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1610
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1610
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP107
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):50µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2-4
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:2350
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BU931P
集射极击穿电压(Vceo):400V
集电极电流(Ic):15A
功率:135W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@250mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:2350
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BU931P
集射极击穿电压(Vceo):400V
集电极电流(Ic):15A
功率:135W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@250mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1031pF@100V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@3.6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":657}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP105N3LL
工作温度:175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: