品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW5NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1154pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW20NC60VD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:44ns
关断损耗:330µJ
开启延迟时间:31ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:100nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:220µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30H65FB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:146ns
关断损耗:293µJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:151µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP6NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):21A
关断延迟时间:76ns
反向恢复时间:21ns
关断损耗:68µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13.6nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,3A
导通损耗:20µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@19A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW21N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3145pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@7A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW8N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA120M65DF2AG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):360A
关断延迟时间:185ns
反向恢复时间:202ns
关断损耗:4.41mJ
开启延迟时间:66ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:420nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.15V@15V,120A
导通损耗:1.8mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF15H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:118ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:207µJ
开启延迟时间:24.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:81nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:136µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF10NC60KD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:85µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:55µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8115pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: