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    晶体管类型
    栅极电荷
    7.5 nC @ 10 V 42nC@10V 104nC@10V 33nC@10V 12nC 17nC@5V 134nC@10V 10.5nC@10V 150nC 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 92nC@10V 19.5nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 33.3nC@10V 57nC 56nC 13nC@10V 4.5nC@10V 22nC@10V 31nC@10V 125nC@10V 30nC@10V 40nC@10V 106nC@10V 118nC@10V 204nC@10V 13.7nC@10V 182nC@10V 19nC 53nC 112nC@10V 29.7nC@10V 7.7nC@10V 9nC@10V 10nC@5V 47nC@5V 53nC@4.5V 13.5nC@10V 110nC@4.5V 65nC@10V 15nC@4.5V 233nC@10V 13.6nC 226nC 6.4nC@10V 34nC@10V 45nC 43.6nC@10V 64nC@5V 16.7nC@10V 23nC@10V 28nC@10V 102nC 57nC@10V 142nC@10V 5nC@10V 155nC@10V 18nC@10V 29.5nC@10V 420nC 150nC@10V 5.3nC@10V 203nC@10V 91nC@10V 35nC 62nC@10V 98nC@10V 82nC@10V 87nC@10V 84nC@10V 58nC@10V 115nC 37nC@10V 73nC@10V 55nC 183nC@10V 42nC@4.5V 8nC@10V 152nC@10V 9.5nC@10V 3nC@10V 80nC@10V 11nC@10V 75nC@10V 12.4nC@10V 25.9nC@10V 15nC@10V 125nC 85nC@10V 41nC@10V 53nC@10V 122nC@10V 51nC@10V 25nC@10V 64nC@10V 121nC@10V 28nC 160nC@10V 67nC 120nC@10V 306nC 66nC@10V 19nC@10V 37nC@4.5V 200nC@10V 143nC@10V 220nC@10V 180nC@10V 85nC 78.6nC@10V 89.3nC@10V 124nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 334nC 16nC 230nC@10V 24nC 66nC@4.5V 24.5nC@10V 100nC@10V 117nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 88nC@10V 153nC 27nC@10V 59nC@10V 60.5nC@10V 44nC@10V 102nC@10V 32nC@10V 60nC@10V 10nC@10V 115nC@10V 27nC@4.5V 350nC@10V 21.5nC@10V 44.3nC@10V 29.3nC@10V 210nC 36nC@10V 80nC 163nC 149nC 46nC@10V 46nC 22.7nC@10V 43nC 81nC 61nC@10V 45.5nC@10V 55nC@10V 116nC 93nC@10V 189nC@10V 8.8nC@10V 47nC@10V 70nC@10V 80.4nC@10V 110nC 11.8nC@10V 96nC@10V 12.5nC@10V 127nC@10V 68nC@10V 2.63nC@10V 126nC 35nC@10V 45nC@10V 89nC@10V 62.5nC@10V 158nC 44.2nC@10V 50nC@10V 72nC@10V 190nC@10V 100nC 16.5nC@10V 29nC@10V 56.5nC@10V 68nC 32nC 71nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 22.5nC@10V 24nC@10V 164nC@10V 48nC@10V 54nC@10V 63nC 15.2nC 16.9nC@10V 313nC 330nC@10V 9.8nC@10V 96nC 434nC@10V 207nC 7.5nC@10V 33nC 162nC@10V 187nC 256nC@10V 414nC 193nC@10V 414nC@10V 94nC@18V 34.4nC 99nC@10V 266nC@10V 218nC@10V 46.8nC@10V 119nC@10V 151nC 13.4nC@10V 63nC@18V 105nC 17.4nC@10V 176nC@10V 448nC 363nC@10V 114nC 68.2nC@10V 41.5nC@10V 74.9nC@10V 340nC@10V 150nC@18V 157nC@18V 105nC@20V 45nC@20V 73nC@20V 13.3nC@20V 122nC@20V 377nC@10V 90nC@4.5V 22nC@20V 162nC@18V
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    栅极阈值电压(Vge(th))
    输入电容
    集电极截止电流(Ices)
    品牌: ST
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:7700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60Z

    工作温度:150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订30个装
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30M65DF2

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:115ns

    反向恢复时间:140ns

    关断损耗:960µJ

    开启延迟时间:31.6ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW13NK60Z 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STW13NK60Z 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW13NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW20NC60VD 起订1个装
    ST IGBT STGW20NC60VD 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW20NC60VD

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):150A

    关断延迟时间:100ns

    反向恢复时间:44ns

    关断损耗:330µJ

    开启延迟时间:31ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:100nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A

    导通损耗:220µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30H65FB 起订1个装
    ST IGBT STGW30H65FB 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30H65FB

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:146ns

    关断损耗:293µJ

    开启延迟时间:37ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:149nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:151µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGF5H60DF 起订4个装
    ST IGBT STGF5H60DF 起订4个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGF5H60DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):20A

    关断延迟时间:140ns

    反向恢复时间:134.5ns

    关断损耗:78.5µJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:43nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A

    导通损耗:56µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGP5H60DF 起订2个装
    ST IGBT STGP5H60DF 起订2个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGP5H60DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):20A

    关断延迟时间:140ns

    反向恢复时间:134.5ns

    关断损耗:78.5µJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:43nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A

    导通损耗:56µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11NM60

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGP6NC60HD 起订5个装
    ST IGBT STGP6NC60HD 起订5个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGP6NC60HD

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):21A

    关断延迟时间:76ns

    反向恢复时间:21ns

    关断损耗:68µJ

    开启延迟时间:12ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:13.6nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,3A

    导通损耗:20µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60-1 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60-1 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订1个装
    ST IGBT STGW30M65DF2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW30M65DF2

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:115ns

    反向恢复时间:140ns

    关断损耗:960µJ

    开启延迟时间:31.6ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:80nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,30A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N95K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N95K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@19A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW21N150K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW21N150K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW21N150K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3145pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@7A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW8N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW8N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW8N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@100µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1230pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGYA120M65DF2AG 起订1个装
    ST IGBT STGYA120M65DF2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGYA120M65DF2AG

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):360A

    关断延迟时间:185ns

    反向恢复时间:202ns

    关断损耗:4.41mJ

    开启延迟时间:66ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:420nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.15V@15V,120A

    导通损耗:1.8mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP17NF25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGF15H60DF 起订2个装
    ST IGBT STGF15H60DF 起订2个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGF15H60DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:118ns

    反向恢复时间:103ns

    关断损耗:207µJ

    开启延迟时间:24.5ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:81nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:136µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGF10NC60KD 起订3个装
    ST IGBT STGF10NC60KD 起订3个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGF10NC60KD

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):30A

    关断延迟时间:72ns

    反向恢复时间:22ns

    关断损耗:85µJ

    开启延迟时间:17ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:19nC

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A

    导通损耗:55µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW75NF20 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW75NF20 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW75NF20

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3260pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@37A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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