包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA10-800BWRG
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):50mA
浪涌电流(Itsm):100A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):10A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW5NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1154pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP150N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA16-600BWRG
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):50mA
浪涌电流(Itsm):160A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW20NC60VD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:44ns
关断损耗:330µJ
开启延迟时间:31ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:100nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:220µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA08-600CRG
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):80A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):25mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30H65FB
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:146ns
关断损耗:293µJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:151µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA12-800SWRG
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):120A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP5H60DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:134.5ns
关断损耗:78.5µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:43nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.95V@15V,5A
导通损耗:56µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA16-800BWRG
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):50mA
浪涌电流(Itsm):160A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:特殊晶体管
行业应用:其它
包装规格(MPQ):13psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGIB15CH60TS-L
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):T2035T-8G
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):45mA
浪涌电流(Itsm):168A
工作温度:-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms)):20A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA41-700BRG
断态峰值电压(Vdrm):700V
保持电流(Ih):80mA
浪涌电流(Itsm):400A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):40A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP6NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):21A
关断延迟时间:76ns
反向恢复时间:21ns
关断损耗:68µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13.6nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,3A
导通损耗:20µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:晶闸管
行业应用:其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA26-700BRG
断态峰值电压(Vdrm):700V
保持电流(Ih):80mA
浪涌电流(Itsm):250A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AVS10CB
断态峰值电压(Vdrm):600V
浪涌电流(Itsm):80A
工作温度:0℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGW30M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA16-600CWRG
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):160A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: