销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N70F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@48A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: