品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":296,"22+":16079,"23+":519,"24+":207}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":240,"19+":480}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW15N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:13.4A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":95,"22+":1772}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":296,"22+":16079,"23+":519,"24+":207}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":95,"22+":1772}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":296,"22+":16079,"23+":519,"24+":207}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":95,"22+":1772}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
漏源电压:75V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
功率:140W
输入电容:3070pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@100µA
包装方式:管件
导通电阻:9mΩ@46A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):240psc
生产批次:{"16+":240,"19+":480}
规格型号(MPN):SPW15N60CFDFKSA1
输入电容:1820pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
类型:N沟道
连续漏极电流:13.4A
漏源电压:650V
阈值电压:5V@750µA
包装方式:管件
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
导通电阻:330mΩ@9.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":240,"19+":480}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW15N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:13.4A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: