采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA80N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3040pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R027M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：189W
阈值电压：5.7V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2131pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@38.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N10S305AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXKN75N60C
工作温度：-40℃~150℃
功率：560W
阈值电压：3.9V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R180C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0045065J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@4.84mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1621pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@17.6A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：晶闸管
行业应用：其它
生产批次：{"17+"：1475，"18+"：1640}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCR20FM-14LJ#BB0
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
浪涌电流(Itsm)：200A
工作温度：-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms))：20A
门极触发电流(Igt)：30mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA50E1200HB
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：75mA
浪涌电流(Itsm)：550A
工作温度：-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms))：79A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：213}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIKW50N65DF5XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：156ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：1018nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：490µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT136X-600，127
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：25A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：206}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：189W
阈值电压：5.7V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2131pF@400V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@38.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：296，"14+"：18500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S204AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：14000，"91+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFSL8403
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3183pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：8400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT134-600E，127
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：25A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"21+"：6683，"22+"：4148，"MI+"：540}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NFA50460R4B
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKY40N120CH3XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：280ns
反向恢复时间：350ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：190nC
集电极电流(Ic)：2.35V@15V，40A
导通损耗：2.18mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA316X-800C，127
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：140A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3225pF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ALPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW100N60H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：265ns
关断损耗：1.9mJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：625nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，100A
导通损耗：3.7mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TFA37S
断态峰值电压(Vdrm)：700V
通态峰值电压(Vtm)：1.5V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：60A
工作温度：-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms))：4.7A
门极触发电流(Igt)：15mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
