品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":300,"08+":3712}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03RG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
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输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
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栅极电荷:20nC@10V
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导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
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连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":300,"08+":3712}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03RG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: