包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
反向恢复时间:92ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
反向恢复时间:92ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GT120BRG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:14ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:170nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):3.7V@15V,25A
导通损耗:930µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
反向恢复时间:92ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
类型:沟槽型场截止
ECCN:EAR99
关断延迟时间:80ns
集电极脉冲电流(Icm):225A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
关断损耗:720µJ
栅极电荷:123nC
包装方式:管件
反向恢复时间:43.4ns
开启延迟时间:28ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GT120BRG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:14ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:170nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):3.7V@15V,25A
导通损耗:930µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:143ns
反向恢复时间:92ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:110nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A
导通损耗:760µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: