采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B
工作温度：-60℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B
工作温度：-60℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：33400pF@25V
导通电阻：55mΩ@34A，10V
栅极电荷：380nC@10V
类型：P沟道
功率：568W
包装方式：管件
连续漏极电流：68A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN70N120SK
工作温度：-40℃~175℃
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2790pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN70N120SK
工作温度：-40℃~175℃
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2790pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
