品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6975,"9999":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K2P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€20W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630µ
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14280,"19+":34500,"23+":495}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":175940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630µ
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14280,"19+":34500,"23+":495}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":33000,"19+":16500,"23+":34500,"9999":1490,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R1K2P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1400,"17+":5000,"21+":4000,"22+":4000,"MI+":650}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP20N06T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:483pF@25V
连续漏极电流:20.3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8569,"18+":5389,"22+":41400,"9999":11}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1400,"17+":5000,"21+":4000,"22+":4000,"MI+":650}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP20N06T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:483pF@25V
连续漏极电流:20.3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: