采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1216，"21+"：3488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6218PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX27N80Q
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7600pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1216，"21+"：3488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6218PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：500，"21+"：1600，"9999"：517}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP29N08T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP27N60KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4660pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX27N80Q
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7600pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：316}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA27N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@13.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1216，"21+"：3488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6218PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：500，"21+"：1600，"9999"：517}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP29N08T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX27N80Q
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7600pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：316}
规格型号(MPN)：FQA27N25
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2450pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：250V
导通电阻：110mΩ@13.5A，10V
包装方式：管件
功率：210W
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：1216，"21+"：3488}
规格型号(MPN)：IRF6218PBF
栅极电荷：110nC@10V
阈值电压：5V@250µA
功率：250W
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
包装方式：管件
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
导通电阻：150mΩ@16A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP27P06
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
功率：120W
输入电容：1400pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
阈值电压：6.5V@1mA
导通电阻：320mΩ@16A，10V
包装方式：管件
功率：690W
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
