采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7816，"20+"：900，"22+"：1450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@72A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOWF12T60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2028pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：684}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7816，"20+"：900，"22+"：1450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@72A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7816，"20+"：900，"22+"：1450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@72A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ22N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7816，"20+"：900，"22+"：1450}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@72A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOWF12T60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2028pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOWF12T60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2028pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
