采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065D
工作温度：-40℃~175℃
功率：98W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065D
工作温度：-40℃~175℃
功率：98W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065D
工作温度：-40℃~175℃
功率：98W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP22N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A65X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14121，"MI+"：240}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R099C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP22N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
