包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP107
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):50µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2-4
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW94C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: