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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：7500}
规格型号(MPN)：STS5NF60L
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：1250pF@25V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP107
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2409
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60M2-4
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2409
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB14NM50N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：70W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：70W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD678
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2409
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2409
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH3N150-2
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
