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    包装方式: 管件
    阈值电压: 4V@5mA
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    Microchip Mosfet场效应管 APT40M35JVR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT40M35JVR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT40M35JVR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:4V@5mA

    栅极电荷:1065nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20160pF@25V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@46.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订30个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订30个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS1M080120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    栅极电荷:79nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1475pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M50JVR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M50JVR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M50JVR

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1000nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:19600pF@25V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT10025JVR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT10025JVR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10025JVR

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:990nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18000pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订1个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订1个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS1M080120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    栅极电荷:79nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1475pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C3M0075120K 起订120个装
    CREE Mosfet场效应管 C3M0075120K 起订120个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0075120K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113.6W

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@1000V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订120个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS1M080120P 起订120个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS1M080120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    栅极电荷:79nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1475pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M50JVFR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M50JVFR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M50JVFR

    阈值电压:4V@5mA

    栅极电荷:1000nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:19600pF@25V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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