品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT22F80B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4595pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@12A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT38F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8070pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@20A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT38F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8070pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@20A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT38F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8070pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@20A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT48M80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT38F80B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8070pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@20A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT11N80BC3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1585pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT48M80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT38F80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8070pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@20A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT44F80L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9330pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@24A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: